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CSD16409Q3 零件图片（仅供参考）

CSD16409Q3

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CSD16409Q3 规格参数

型号:CSD16409Q3
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-VSONP（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 12.5 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-VSONP（5x6）
封装/外壳:8-PowerTDFN
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CSD16409Q3 基本参数：

电子零件型号：CSD16409Q3
原始制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
技术标准参数：MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询CSD16409Q3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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