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CSD18536KTTT 零件图片（仅供参考）

CSD18536KTTT
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CSD18536KTTT 规格参数

  • 型号:CSD18536KTTT
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:TO-263（DDPAK-3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Ta），349A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11430 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:375W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263（DDPAK-3）
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • CSD18536KTTT，TI（德州仪器）产品一站式供应商。
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CSD18536KTTT 基本参数：

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