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CSD83325L 零件图片（仅供参考）

CSD83325L
TI 订单到达，马上发货

CSD83325L 规格参数

  • 型号:CSD83325L
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:6 PicoStar
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.9nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:2.3W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-XFBGA
  • 供应商器件封装:6 PicoStar
  • CSD83325L，TI（德州仪器）产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的TI供应商

CSD83325L 基本参数：

  • 电子零件型号：CSD83325L
  • 原始制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询CSD83325L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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